新華網(wǎng)東京2月11日電 日本東芝公司日前宣布，該公司開發(fā)出容量128兆比特、數(shù)據(jù)傳輸速度每秒1.6吉字節(jié)的非易失鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（ＦｅＲＡＭ），創(chuàng)下世界非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器容量和速度兩項(xiàng)最高記錄。

　　非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器在斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。而鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器以鐵電物質(zhì)為原料，通過施加電場(chǎng)，依靠鐵電晶體的電極在兩個(gè)穩(wěn)定態(tài)之間轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫。鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器具備非易失、讀寫速度快、工作電壓低、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，但是在容量方面一直沒有突破。

　　東芝公司發(fā)布新聞公報(bào)說，該公司此次改良了獨(dú)有的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)構(gòu)造，該構(gòu)造能防止存儲(chǔ)單元尺寸縮小導(dǎo)致的信號(hào)衰減。這一改良提高了存儲(chǔ)器的集成度，以128兆比特的容量實(shí)現(xiàn)了非易失隨機(jī)存儲(chǔ)器的世界容量之最。

　　本次開發(fā)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器還采用與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（ＤＲＡＭ）相同的ＤＤＲ2接口，從而實(shí)現(xiàn)了在提高系統(tǒng)性能的同時(shí)減少耗電量的目標(biāo)。

　　東芝公司稱，新開發(fā)的非易失鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器將來有望用作手機(jī)等各種移動(dòng)設(shè)備的主存，和筆記本、固態(tài)硬盤的緩存。