據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，藍(lán)色巨人IBM聯(lián)合其芯片研發(fā)合作伙伴AMD于近日發(fā)布了一則重磅消息，兩家合作生產(chǎn)出了首批采用22納米工藝技術(shù)的SRAM芯片產(chǎn)品，這成功地挑戰(zhàn)了英特爾在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 

　　據(jù)了解22納米工藝的芯片還只是未來3年以后的產(chǎn)品，但是IBM此次的喜訊意味著這個(gè)芯片制造商將會(huì)輕易地在2011年年末進(jìn)入22納米工藝的新的芯片制造階段。這可是首次業(yè)界領(lǐng)頭羊英特爾因?yàn)槠渌?jìng)爭(zhēng)對(duì)手在工藝水平的先走一步的壓力而被迫花大力氣并費(fèi)上額外的時(shí)間來進(jìn)入這個(gè)新的22納米工藝領(lǐng)域來維持其業(yè)界霸主的地位。

　　SRAM芯片是典型的半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試新工藝手段的首選設(shè)備，這可是邁向微型處理器的關(guān)鍵的第一步。該設(shè)備是由AMD、飛思卡爾（Freescale）、IBM、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）、東芝以及納米科學(xué)與工程學(xué)院(CNSE)聯(lián)合開發(fā)和制造的。這種22納米工藝的SRAM芯片是從300mm晶圓上切割而來，采用傳統(tǒng)的六晶體管設(shè)計(jì)方案，整個(gè)芯片面積僅有0.1平方微米。而英特爾的45納米處理器的SRAM芯片面積為0.346平方微米。

　　和目前主流的處理器工藝水平相比，22納米工藝水平則是兩代之后的技術(shù)（60納米一代，45納米一代）。而令人頗感尷尬的是，參與到此項(xiàng)22納米工藝項(xiàng)目的AMD還在45納米工藝上苦苦地去追尋英特爾的腳步。英特爾曾于去年九月份展示了其首個(gè)32納米的SRAM芯片晶圓，實(shí)際上也沒有至少在今年展示22納米R(shí)AM芯片的計(jì)劃。據(jù)悉在此次的秋季IDF上，英特爾就展示了其32納米工藝水平的處理器原型。

　　對(duì)此，IBM表示已經(jīng)步入32納米處理器的正軌并希望能夠引領(lǐng)32納米的High-K金屬柵極技術(shù)。令人遺憾的是IBM并未公布此事的更多細(xì)節(jié)性內(nèi)容。據(jù)了解英特爾自去年晚期以來就在其45納米工藝的Penryn處理器上使用High-K金屬柵極技術(shù)。

　　坦誠(chéng)地說我們離22納米甚至32納米工藝處理器還是有著相當(dāng)?shù)木嚯x，但是此事的意義在于IBM極其合作伙伴在處理器制作工藝上首次超過了業(yè)界領(lǐng)頭羊，追趕的壓力首次落到了英特爾這邊。

　　隨后英特爾針對(duì)此事發(fā)表了迥然不同的意見。英特爾發(fā)言人Nick Knupffer表示，“的確IBM與其合作伙伴們制造出了最小的SRAM芯片，但是生產(chǎn)出一個(gè)單獨(dú)的SRAM僅僅是在微影縮微上的操作（lithography scaling）而已。他們也僅僅是公布了22納米的SRAM芯片，而非22納米的SRAM陣列。一個(gè)單獨(dú)的SRAM芯片只不過是有著六個(gè)晶體管而已。我們英特爾于去年展示的32納米SRAM陣列有著多達(dá)2.9億個(gè)芯片單元以及總計(jì)達(dá)19億之巨的晶體管數(shù)量。此外IBM也表示進(jìn)入了32納米SRAM陣列使用的是High-K金屬柵極技術(shù)，而我們的32納米的工藝技術(shù)則使用的是我們第二代High-K金屬柵極晶體管?！?/p>